IRLR2905 NPN MOSFET ТРАНЗИСТОР 41A 55V TO252 SMD

IRLR2905 NPN MOSFET 41A 55V TO252 SMD ТРАНЗИСТОР

• Виробник: Infineon (IRF).
• Тип транзистора: це N- транзистор типу -MOSFET.
• Поляризація: транзистор однополярно поляризований, що означає, що керування здійснюється одним типом носія заряду.
• Тип транзистора: транзистор належить до HEXFET тип, який є добре відомою технологією високопродуктивних уніполярних транзисторів.
• Напруга витоку-витоку: максимальна напруга, яку транзистор може витримати між витоком і витоком, становить 55 В.
• Струм витоку : Максимальний струм, який може протікати через стік транзистора, становить 42 А.
• Потужність: Максимальна потужність, яку може розсіювати транзистор, не перевищуючи допустиму температуру, становить 110 Вт.
• Корпус : Транзистор має корпус типу ДПАК. DPAK — це пакет транзисторів за технологією поверхневого монтажу (SMD), який забезпечує зручне кріплення та гарне охолодження.
• Напруга затвор-витік: максимальна напруга, яку можна застосувати між затвором і витоком транзистора, становить 16 В.< /li >
• Опір у провідному стані: опір транзистора в провідному стані становить 27 мОм. Це опір, який транзистор створює струму, що протікає у ввімкненому стані.
• Термічний опір сміттєвого корпусу: Термічний опір між з’єднанням і корпусом транзистора становить 1,8 К/Вт. Це параметр, пов’язаний з ефективним розсіюванням тепла.
• Збірка: транзистор розроблено для технології поверхневого монтажу (SMD).
• Заряд затвора: заряд затвора транзистора становить 32 нКл. Це значення, яке впливає на час перемикання транзистора

Радимо вам переглянути наші інші привабливі пропозиції! Ми пропонуємо широкий вибір високоякісних продуктів, які можуть задовольнити різноманітні потреби.

Дякуємо за інтерес до наших продуктів і з нетерпінням чекаємо вашого наступного візиту!