Відновлений пристрій. У корпусі є подряпини, потертості та бруд.

Технічно неперевірений пристрій, нехірований демонтаж з ефективного промислового пристрою.

• Для отримання BSM400GA120DN2S EUPEC IGBT X4ST
Транзистор
• Теплово -раковина 260x160x85 мм охолоне з вентиляторами.

упаковка заміни.

Немає посібника користувача

BSM400GA120DN2S EUPEC IGBT TRANSISTOR + Теплово -раковина

транзистор BSM400GA120DN2S -це специфічна модель силового транзистора з сімейства IGBT (ізольований біполярний транзистор), яка використовується у додатках високої швидкості та високої напруги. Ось деяка інформація про цей конкретний транзистор:

• Ім'я моделі: BSM400GA120DN2S
• Сім'я: IGBT
• Кольоровий ематтер (VCE) Напруга: 1200 V
• Постійне колектор струму (IC): 400 A
• MAGMAL LAWORS (PCE): ВІДПОВІДАЄТЬСЯ ВІДПОВІДАЛЬНОГО ВІДПОВІДА:
• Робоча температура: залежно від специфікацій виробника, але, як правило, в діапазоні від -40 ° C до +150 ° C
• Корпус: потужний модуль у модульному корпусі, що забезпечує електричну ізоляцію між транзистором та навколишнім середовищем та відповідним охолодженням. BSM400GA120DN2S використовується в різних додатках, таких як приводи електродвигунів, перетворювачі частоти (інвертори), джерела живлення високої напруги та інші енергосистеми, які потребують високих струмів та контролю напруги. Це транзистор з високою потужністю, який дозволяє ефективно контролювати та контролювати велику кількість електроенергії.

  Варто зазначити, що транзистори IGBT використовуються в різних конфігураціях залежно від конкретної програми. Параметри та технічні характеристики можуть змінюватися залежно від версії та виробника. Перш ніж використовувати транзистор BSM400GA120DN2S у конкретному проекті, завжди рекомендується прочитати технічну документацію, надану виробником, або проконсультуватися з відповідним фахівцем у галузі електроніки.