Нова оперативна пам’ять Samsung 8 Гб DDR4 2666V SODIMM


Код: 15383630450
1324 грн
Ціна вказана з доставкою в Україну
Товар є в наявності
ЯК ЕКОНОМИТИ НА ДОСТАВКЕ?
Замовляйте велику кількість товарів у цього продавця
Інформація
  • Час доставки: 7-10 днів
  • Стан товару: Б/В
  • Доступна кількість: 7

Просматривая «New Ram Samsung 8GB DDR4 2666V SODIMM», вы можете быть уверены, что данный товар из каталога «Оперативная память» будет доставлен из Польши и проверен на целостность. В цене товара, указанной на сайте, учтена доставка из Польши. Внимание!!! Товары для Евросоюза, согласно законодательству стран Евросоюза, могут отличаться упаковкой или наполнением.

❇ Нова пам’ять оперативної пам’яті авторитетних виробників походить з пластичних анти -електресних ящиків/ пухирів для зберігання оперативної пам’яті

❇ Нова пам'ять рамки ноутбука (так-dimm)

⏩8 gb 1Rx8 PC4-2666V DDR4/PC4-2666 МГц

✅ ✅merms відповідає ноутбукам, які підтримують пам'ять DDR4. Вони працюють як з процесорами Intel, так і з AMD

▶ ️ продукт: samsung

▶ ️ porad: так -Dimm

▶ Різне: 8 Gb

▶ ️standard: ddr4/pc4

▶ ️ Швидкість: 2666 МГц

▶ ▶ ️ Класифікація: PC4-2666V

▶ Свервона серветка: 1.2V

▶ Wąk: 260 штифтів

▶ ️anga: 1 rx8

Бування ecc

❇ Виробник пам'яті оперативної пам’яті

100% функціональні та програмно перевірені. > Ідеальний стан Візуально пам'ять ідеальна. Технічно 100% функціональні та перевірені.

⏩ ⏩ ⏩ ⏩ ⏩ ⏩ ⏩ ⏩ ⏩ ⏩ ⏩ ⏩ ⏩ ⏩ ⏩ ⏩ ⏩ ⏩ ⏩ ⏩ ⏩ ⏩ ⏩ ⏩ ⏩ ⏩ ⏩ ⏩ ⏩ ⏩ ⏩ ⏩ ⏩ ⏩ ⏩ ⏩ ⏩ ⏩ ⏩ ⏩ ⏩ ⏩ ⏩ ⏩ ⏩ ⏩ ⏩ ⏩ ⏩ ⏩ ⏩ ⏩ ⏩ ⏩ ⏩ ⏩ ⏩ ⏩ ⏩ -memtest86+ перевірили, що не показало помилок, тому ви зможете насолодитися довгими та неприємними роботами! Memtest86+ -це програма, призначена для So -Called "4

4 Якісне рішення, яке він забезпечить швидку передачу даних. > Кістки працюють з кожним чіпсетом та обладнанням, що вимагають цього типу пам'яті.

❇Adza Пам'ять упаковується в мішечки ESD:

  • ▶ ️ Корпоративна упаковка електроніки, інтегровані схеми тощо
  • ▶ ️ Розділ компонентів проти вологи та Пил
  • ▶ виражена при тісному закритті
  • ▶ ️ -резистентна до вологи та електростатичного розряду