IRF5210N PNP MOSFET ТРАНЗИСТОР 40A 100 В TO220
- Час доставки: 7-10 днів
- Стан товару: новий
- Доступна кількість: 82
Просматривая «IRF5210N PNP MOSFET ТРАНЗИСТОР 40A 100 В TO220», вы можете быть уверены, что данный товар из каталога «Транзисторы» будет доставлен из Польши и проверен на целостность. В цене товара, указанной на сайте, учтена доставка из Польши. Внимание!!! Товары для Евросоюза, согласно законодательству стран Евросоюза, могут отличаться упаковкой или наполнением.
IRF5210N PNP MOSFET ТРАНЗИСТОР 40A 100 В TO220
Ми представляємо нашу пропозицію MOSFET транзистора P-MOSFET, який був виготовлений компанією Infineon (IRF). Наш транзистор є ідеальним рішенням для застосувань, які вимагають проведення струму в уніполярних системах поляризації.
Ось технічні дані транзистора:
- Виробник: Infineon (IRF). Транзистор виготовлено відомим виробником Infineon (IRF), який відомий високою якістю своїх напівпровідникових виробів.
- Тип транзистора: P-MOSFET. Наш транзистор є P-MOSFET, що означає, що він має шар p-типу між витоком і стоком.
- Поляризація: однополярна. Транзистор має однополярне зміщення, що означає, що затвор керується лише одним типом носія.
- Тип транзистора: HEXFET. Наш транзистор належить до сімейства транзисторів HEXFET, які характеризуються високою ефективністю та низькими втратами потужності.
- Напруга сток-витік: 100 В. Транзистор розроблено для роботи при напрузі стоку-витоку з максимальним значенням 100 В, що робить його відповідним рішенням для додатків, які потребують роботи при негативній напрузі.
- Струм стоку: 40 А. Транзистор має здатність проводити максимальний струм стоку 40 А, що робить його ідеальним для застосувань, які вимагають проведення вищих струмів при негативній напрузі.
- Розсіювана потужність: 200 Вт. Транзистор має здатність розсіювати потужність з максимальним значенням 200 Вт, що дозволяє ефективно керувати енергією та мінімізувати втрати.
- Корпус: TO220AB. Транзистор доступний у корпусі TO220AB, що забезпечує зручне встановлення та ефективне розсіювання тепла.
- Напруга затвор-витік: 20В. Транзистор розроблено для роботи при напрузі затвор-витік максимум 20 В, що забезпечує точне керування транзистором.
- Опір у стані провідності: 60 мОм. Транзистор характеризується низьким опором провідності, що мінімізує втрати потужності та забезпечує ефективну провідність струму.
- Термічний опір корпусу: 750 мК/Вт. Транзистор має низький термічний опір між роз'ємом і корпусом, що дозволяє ефективно відводити тепло і підтримувати низьку робочу температуру.
- Збірка: THT. Транзистор розроблено для монтажу за допомогою технології Through-Hole, що забезпечує легке та безпечне встановлення.
- Заряд затвора: 120 нКл. Транзистор характеризується зарядом затвора з максимальним значенням 120 нКл, що забезпечує точне керування.
Радимо вам ознайомитися з іншими нашими привабливими пропозиціями! Ми пропонуємо широкий вибір високоякісних продуктів, які можуть задовольнити різноманітні потреби.
Дякуємо за інтерес до наших продуктів і з нетерпінням чекаємо вашого наступного візиту!