IRF3205 N-канальний MOSFET ТРАНЗИСТОР 110A 55V 200W
- Час доставки: 7-10 днів
- Стан товару: новий
- Доступна кількість: 97
Заказывая «IRF3205 N-канальний MOSFET ТРАНЗИСТОР 110A 55V 200W», вы можете быть уверены, что данное изделие из каталога «Транзисторы» вы получите через 5-7 дней после оплаты. Товар будет доставлен из Европы, проверен на целостность, иметь европейское качество.
IRF3205 N-Channel MOSFET 110A 55V 200W TRANSISTOR
Ми раді представити нашу пропозицію N-MOSFET MOSFET транзистора з сімейства HEXFET. Цей транзистор, виготовлений відомим виробником Infineon (IRF), характеризується чудовою продуктивністю та надійністю. Він ідеально підходить для широкого діапазону застосувань, де потрібні великі струми.
Ось технічні характеристики транзистора:
- Виробник: Infineon (IRF). Наш транзистор походить від відомої компанії Infineon, яка відома своєю відданістю постачанню високоякісних електронних компонентів.
- Тип транзистора: N-MOSFET. Транзистор є N-MOSFET, що означає, що він має шар n-типу між стоком і витоком.
- Поляризація: однополярна. Транзистор має однополярне зміщення, що означає, що затвор керується лише одним типом носія.
- Тип транзистора: HEXFET. Транзистор належить до сімейства HEXFET, який відомий своєю чудовою ефективністю та низьким опором прямому ходу.
- Напруга витік-витік: 55 В. Транзистор призначений для роботи з напругою стік-витік максимального значення 55 В, що дозволяє використовувати його в різних електронних системах.
- Струм стоку: 98 А. Транзистор має здатність проводити максимальний струм стоку 98 A, що робить його ідеальним рішенням для застосувань, які вимагають проведення великих струмів.
- Потужність: 200 Вт. Транзистор має обчислювальну потужність 200 Вт, що дозволяє ефективно керувати енергією в електронних системах.
- Корпус: TO220AB. Транзистор доступний у корпусі TO220AB, який забезпечує легку установку та ефективне розсіювання тепла.
- Напруга затвор-джерело: 20 В. Транзистор розроблено для роботи при напрузі затвор-витік максимум 20 В, що дозволяє легко контролювати транзистор.
- Опір провідності: 8 мОм. Транзистор характеризується низьким опором провідності, що дозволяє мінімізувати втрати потужності.
- Тепловий опір з’єднувального корпусу: 1K/W.
Рекомендуємо вам читайте інші наші привабливі пропозиції! Ми пропонуємо широкий вибір високоякісних продуктів, які можуть задовольнити різноманітні потреби.
Дякуємо за інтерес до наших продуктів і з нетерпінням чекаємо вашого наступного візиту!