Транзистор BSM400GA120DN2S EUPEC IGBT + ГАМ


Код: 13688586714
6932 грн
Цена указана с доставкой в Украину
Товар есть в наличии
КАК ЭКОНОМИТЬ НА ДОСТАВКЕ?
Заказывайте большое количество товаров у этого продавца
Информация
  • Время доставки: 7-10 дней
  • Состояние товара: Б/У
  • Доступное количество: 1

Оплачивая «Транзистор BSM400GA120DN2S EUPEC IGBT + ГАМ», вы можете быть уверены, что данное изделие из каталога «Транзисторы» будет доставлено из Польши и проверено на целостность. В цене товара, указанной на сайте, учтена доставка из Польши. Внимание!!! Товары для Евросоюза, согласно законодательству стран Евросоюза, могут отличаться упаковкой или наполнением.

восстановленное устройство. В корпусе есть царапины, ссадины и грязь.

Технически непроверенное устройство, неразборчиво лишеное из эффективного промышленного устройства.

  • Для получения BSM400GA120DN2S EUPEC IGBT X4ST
  • Транзистор
  • Охлаждающий раковина 260x160x85mm с вентиляторами.

Замена упаковки.

Нет руководства пользователя

BSM400GA120DN2S EUPEC IGBT Transistor + радиатор

BSM400GA120DN2S Transistor является конкретной моделью транзистора Power из семейства IGBT (изолированный биполярный транзистор затвора), которая используется в приложениях с высоким уровнем и высоким содержанием. Вот некоторая информация об этом конкретном транзисторе:

  • Название модели: BSM400GA120DN2S
  • Семейство: IGBT
  • Цветовое эмиттер (VCE) Напряжение: 1200 В
  • Проток CONTUREN COLLECTOR (IC): 400 A
  • .
  • Рабочая температура: в зависимости от технических характеристик производителя, но обычно в диапазоне от -40 ° C до +150 ° C
  • Корпус: модуль силового модуля в модульном корпусе, что обеспечивает электрическую изоляцию между транзистором и окружающей средой и соответствующим охлаждением. BSM400GA120DN2S используется в различных применениях, таких как электродвигатели, преобразователи частот (инверторы), энергосбережения с высоким содержанием напряжения и другие энергосистемы, которые требуют высоких токов и управления напряжением. Это высокоэффективный транзистор, который обеспечивает эффективное управление и контроль большого количества электроэнергии.

    Стоит отметить, что транзисторы IGBT используются в различных конфигурациях в зависимости от конкретного приложения. Параметры и спецификации могут варьироваться в зависимости от версии и производителя. Перед использованием транзистора BSM400GA120DN2S в конкретном проекте всегда рекомендуется прочитать техническую документацию, предоставленную производителем, или проконсультироваться с соответствующим специалистом в области электроники.