IRF5210N PNP MOSFET ТРАНЗИСТОР 40A 100 В TO220
- Время доставки: 7-10 дней
- Состояние товара: новый
- Доступное количество: 82
Просматривая «IRF5210N PNP MOSFET ТРАНЗИСТОР 40A 100 В TO220», вы можете быть уверены, что данный товар из каталога «Транзисторы» будет доставлен из Польши и проверен на целостность. В цене товара, указанной на сайте, учтена доставка из Польши. Внимание!!! Товары для Евросоюза, согласно законодательству стран Евросоюза, могут отличаться упаковкой или наполнением.
IRF5210N PNP MOSFET 40A 100V TO220 ТРАНЗИСТОР
Представляем наше предложение MOSFET-транзистора типа P-MOSFET производства компании Infineon (IRF). Наш транзистор является идеальным решением для приложений, требующих проводимости тока в системах с униполярной поляризацией.
Вот технические данные транзистора:
- Производитель: Infineon (IRF). Транзистор изготовлен известным производителем Infineon (IRF), известным высоким качеством своей полупроводниковой продукции.
- Тип транзистора: P-MOSFET. Наш транзистор представляет собой P-MOSFET, что означает, что он имеет слой p-типа между истоком и стоком.
- Поляризация: униполярная. Транзистор однополярно смещен, что означает, что затвор управляется только одним типом носителя.
- Тип транзистора: HEXFET. Наш транзистор принадлежит к семейству транзисторов HEXFET, которые характеризуются высоким КПД и низкими потерями мощности.
- Напряжение сток-исток: 100В. Транзистор предназначен для работы при напряжении сток-исток с максимальным значением 100 В, что делает его подходящим решением для приложений, требующих работы при отрицательном напряжении.
- Ток стока: 40А. Транзистор способен проводить максимальный ток стока 40 А, что делает его идеальным для приложений, требующих проведения более высоких токов при отрицательном напряжении.
- Рассеиваемая мощность: 200 Вт. Транзистор обладает способностью рассеивать мощность с максимальным значением 200Вт, что позволяет эффективно управлять энергопотреблением и минимизировать потери.
- Корпус: TO220AB. Транзистор выпускается в корпусе ТО220АБ, что обеспечивает удобный монтаж и эффективный отвод тепла.
- Напряжение затвор-исток: 20В. Транзистор спроектирован для работы при напряжении затвор-исток максимум 20 В, что обеспечивает точное управление транзистором.
- Сопротивление в проводящем состоянии: 60 мОм. Транзистор отличается низким сопротивлением проводимости, что минимизирует потери мощности и обеспечивает эффективную проводимость тока.
- Тепловое сопротивление переход-корпус: 750мК/Вт. Транзистор имеет низкое тепловое сопротивление между разъемом и корпусом, что позволяет эффективно отводить тепло и поддерживать низкую рабочую температуру.
- Сборка: THT. Транзистор предназначен для монтажа по технологии сквозного монтажа, что обеспечивает простую и безопасную установку.
- Заряд затвора: 120 нКл. Транзистор характеризуется зарядом затвора с максимальным значением 120 нКл, что обеспечивает точное управление.
Приглашаем вас ознакомиться с другими нашими привлекательными предложениями! Мы предлагаем широкий выбор высококачественной продукции, способной удовлетворить самые разные потребности.
Спасибо за интерес к нашей продукции и с нетерпением ждем вашего следующего визита!