IRF3205 N-канальний MOSFET ТРАНЗИСТОР 110A 55V 200W
- Время доставки: 7-10 дней
- Состояние товара: новый
- Доступное количество: 97
Заказывая «IRF3205 N-канальний MOSFET ТРАНЗИСТОР 110A 55V 200W», вы можете быть уверены, что данное изделие из каталога «Транзисторы» вы получите через 5-7 дней после оплаты. Товар будет доставлен из Европы, проверен на целостность, иметь европейское качество.
IRF3205 N-канальный MOSFET 110A 55V 200W ТРАНЗИСТОР
Мы рады представить наше предложение N-MOSFET MOSFET транзистора из семейства HEXFET. Этот транзистор, выпускаемый известным производителем Infineon (IRF), отличается отличными характеристиками и надежностью. Он идеально подходит для широкого спектра применений, где требуются большие токи.
Вот характеристики транзистора:
- Производитель: Infineon (IRF). Наш транзистор произведен известной компанией Infineon, которая известна своим стремлением предоставлять высококачественные электронные компоненты.
- Тип транзистора: N-MOSFET. Транзистор представляет собой N-MOSFET, что означает, что он имеет слой n-типа между стоком и истоком.
- Поляризация: униполярная. Транзистор однополярно смещен, что означает, что затвор управляется только одним типом несущей.
- Тип транзистора: HEXFET. Транзистор принадлежит к семейству HEXFET, известному своим превосходным КПД и низким прямым сопротивлением.
- Напряжение сток-исток: 55 В. Транзистор рассчитан на работу с напряжением сток-исток максимального значения 55В, что позволяет использовать его в различных электронных системах.
- Ток стока: 98А. Транзистор способен проводить максимальный ток стока 98 А, что делает его идеальным решением для приложений, требующих проведения больших токов.
- Мощность: 200 Вт. Транзистор имеет вычислительную мощность 200 Вт, что позволяет эффективно управлять энергопотреблением в электронных системах.
- Корпус: TO220AB. Транзистор выпускается в корпусе TO220AB, что обеспечивает простоту установки и эффективный отвод тепла.
- Напряжение затвор-исток: 20В. Транзистор рассчитан на работу при напряжении затвор-исток максимум 20 В, что позволяет легко управлять транзистором.
- Сопротивление проводимости: 8 мОм. Транзистор отличается низким сопротивлением проводимости, что позволяет минимизировать потери мощности.
- Тепловое сопротивление переход-корпус: 1К/Вт.
Призываем Вас читайте другие наши выгодные предложения! Мы предлагаем широкий выбор высококачественной продукции, способной удовлетворить самые разные потребности.
Спасибо за интерес к нашей продукции и с нетерпением ждем вашего следующего визита!