12N60 NPN MOSFET ТРАНЗИСТОР 12A 600 В TO220F

12N60 NPN MOSFET 12A 600V TO220F ТРАНЗИСТОР

• Транзистор с маркировкой 12N60 представляет собой униполярный N-MOSFET. Его производит компания ON SEMICONDUCTOR.
• Этот транзистор обладает способностью проводить ток в одном направлении, от стока к истоку, когда на затвор подается соответствующее напряжение.
• Сток -исходное напряжение транзистора 600В. Это означает, что транзистор может работать при максимальном напряжении 600 В между стоком и истоком.
• Максимальный ток стока, который можно пропустить через этот транзистор, составляет 7,2 А. Превышение этого значения может привести к повреждению транзистора.
• Рассеиваемая мощность составляет 240Вт. Это максимальная мощность, которую транзистор может выдержать, не превышая своей рабочей температуры.
• Корпус транзистора — TO220F. TO220F — популярный корпус транзисторов, который обеспечивает достаточную теплоизоляцию и удобен в установке.
• Максимальное напряжение затвор-исток составляет ±30 В. Это означает, что напряжение между затвором и истоком может составлять максимум ±30В.
• Сопротивление в прямом состоянии составляет 650мОм. Это сопротивление, которое транзистор вносит при проведении, что приводит к некоторой потере мощности.
• Этот транзистор адаптирован для сборки THT (Through-Hole Technology), а это означает, что его можно собирать с использованием традиционных сквозных соединений. дырочные методы.

Приведенные данные описывают N-MOSFET-транзистор 12N60 производства компании ON SEMICONDUCTOR. Приведенная выше информация может быть полезна тем, кто заинтересован в использовании этого транзистора в различных электронных приложениях.

Приглашаем вас ознакомиться с другими нашими привлекательными предложениями! Мы предлагаем широкий выбор высококачественной продукции, способной удовлетворить самые разные потребности.

Спасибо за интерес к нашей продукции и с нетерпением ждем вашего следующего визита!